وصف مقاومات الجهد العالي النبضي:

تم تصميم مقاومات الدقة عالية الجهد الأنبوبية RI80 خصيصًا لأنظمة الجهد العالي للأغراض العامة في الصناعة. تستخدم RI80 عنصرًا مقاومًا من الطبقة السميكة من المعدن الزجاجي وتصميم نمط متعرج يوفر خصائص مثالية من حيث التكلفة والاستقرار والدقة والجهد العالي لمجموعة واسعة من تطبيقات القياس ودوائر مقسم الجهد ووظائف التحكم في تطبيقات إلكترونيات الطاقة عالية الجهد.

مقاومات الجهد الدقيقة SIKES RI80 قادرة على امتصاص كميات كبيرة من الطاقة عند الجهد العالي مع البقاء غير حثية وخصائص الحمل الثقيل. تتوافق RI80 مع توجيهات RoHS وخالية من الرصاص. التصميم المخصص والتفاوتات الأضيق متاحة عند الطلب.

من خلال استخدام مواد السيراميك الأساسية المحددة مع المعالجة المثلى، يتم تحقيق معايير الأداء المستقرة للغاية المهمة في درجات حرارة التشغيل من -55 درجة مئوية إلى +70 درجة مئوية.

(RI80) يمكنه التعامل مع جهد يصل إلى 35 كيلوفولت. يتم تقديم هذه العملية الفريدة بقيم مقاومة محددة في مجموعة واسعة من الأحجام والأطراف. الاستقرار التشغيلي الاستثنائي لمقاومات النوع RI80 سيحسن أداء نظام الجهد العالي الخاص بك.

سلسلة الدقة عالية الجهد RI80 مخصصة للتصاميم المخصصة، والتفاوتات الأضيق، والمتطلبات التقنية غير القياسية، أو التطبيقات الخاصة المخصصة، يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.

خصائص مقاومات النبض عالية الجهد:
القدرة المقدرة من 1 واط إلى 300 واط.
أقصى جهد تشغيل من 1 كيلوفولت إلى 35 كيلوفولت.
تفاوت المقاومة G( ±2%)، J(±5%)، K(±10%).
معامل درجة الحرارة: 200 جزء في المليون/درجة مئوية إلى 400 جزء في المليون/درجة مئوية.
نطاق مقاومة عالٍ من 1 ميغا أوم إلى 1,000 ميغا أوم.

تطبيقات مقاومات الجهد العالي النبضية:
مولدات الجهد النبضي،
تخميد أفران القوس، أبحاث الطاقة،
معدلات النبض، شبكات تشكيل النبضات الرادارية،
دوائر حماية المكثفات، دوائر snubber عالية الجهد،
معدات الأشعة السينية/التصوير، وقمع التداخل الكهرومغناطيسي/الصواعق.